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kb熔融石英玻璃及其修制门径

类别:行业资讯   发布时间:2024-03-04 03:12:30   浏览:

  :本发现涉及一种熔融石英玻璃及其筑制要领,所述熔融石英玻璃的紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高、Cu等金属杂质的扩散速率小。本发现的熔融石英玻璃可能用作各样光学原料、半导体筑制用部件、液晶筑制用部件、MEMS(MicroElectroMechanicalSystems,樣£电子板滞体系)筑制用部件、液晶用玻璃基板等。特别适适用作正在半导体热惩罚工序或CVD工序中利用的芯管(corepipe)。

  :正在各样光学原料、半导体筑制用部件、液晶筑制用部件、MEMS筑制用部件、液晶用玻璃基板等用处中,生机紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高的石英玻璃。此外,正在半导体、液晶或MEMS筑制界限中,石英玻璃制的检视区(viewpoint)众用于蚀刻的止境检测等中,生机从紫外区域至可睹区域、红外区域都具有优良的光透过性且能以低本钱筑制的石英玻璃。其余,近年来正在半导体热惩罚工序中,存正在Cu导致的污染题目。该题目是从热惩罚用石英管(芯管)外部的加热器等发生的Cu正在热惩罚用石英管内扩散,而污染装置正在石英管内部的晶圆,于是生机铜等金属杂质扩散系数小的石英玻璃。每每,石英玻璃大致分为熔融石英玻璃和合成石英玻璃。熔融石英玻璃通过将举动原料的硅石粉末正在氩氧火焰、等离子弧、真空电炉等中熔融而筑制,与下述合成石英玻璃比拟,具有筑制本钱低廉的利益。个中,利用自然硅石粉末末举动二氧化硅原料,通过等离子弧或真空电熔融等不会推广OH基量的熔融要领而筑制的石英玻璃,其高温粘性高,耐热性优异,于是正在半导体热惩罚工序或CVD工序中渊博利用。然而,利用自然硅石原料的熔融石英玻璃含有O.l~0.5ppm足下的半导体筑制中需规避的Li、K、Na、Ca元素等,无法正在恳求高纯度的用处(比如,晶圆的高温退火等)中利用。另夕卜,因为每每正在紫外区域(200nm~240nm)中具有招揽带,于是举动紫外线用光学原料(比如,止境检测用窗口原料(windowmaterials)等)特色也亏损。其余,存正在Cu等金属杂质的扩散速率很速如此的题目。于是,对付恳求高纯度的用处,已知有利用无定形高纯度合成硅石粉末举动二氧化硅原料的要领(比如,参考专利文献1、艺制备,于是,正在由无定形合成硅石粉末筑制的石英玻璃中,残留着数十ppm足下的OH基。石英玻璃中的残留OH基不只会惹起红外区域的光学招揽,又有恐怕使高温粘性恶化,进而鼓励Cu等金属杂质的扩散。于是,已知有将举动原料的无定形合成硅石粉末预先结晶来低落OH基的要领(比如,参考专利文献3、4)。然而,专利文献3的要领中杂质含量的低落不足满盈,生机能进一步低落。另夕卜,专利文献3中公然的熔融要领因为正在强还原空气下实行玻璃化,于是有恐怕正在245nm邻近展现推定是因为缺乏氧所惹起的招揽峰。其余,专利文献4中既没相闭于玻璃化时的气氛的纪录,也没相闭于得到何种石英玻璃的任何纪录或开辟。另一方面,合成石英玻璃通过将高度纯化的四氯化硅等挥发性的二氧化硅原料正在氢氧火焰等之下实行高温水解而筑制,4具有纯度至极高的利益。然而,已知合成石英玻璃每每正在高温区域的粘度系数较低。举动适合于恳求耐热性用处的合成石英玻璃的筑制要领,已知有将挥发性二氧化硅原料加热水解,使由此天生的二氧化硅微粉聚积成的众孔石英玻璃体(烟尘体,soot-body)中含有Al,对其实行加热、烧结从而制成透后玻璃体的要领(比如,参考专利文献5),或者正在还原空气中对烟尘体实行加热惩罚,低落OH量,然后对其实行加热、烧结,从而制成透后玻璃体的要领(比如,参考专利文献6)。然而,扫数要领的工艺均较为繁复,于是所得玻璃至极高贵。其余,专利文献5中纪录的合成石英玻璃正在筑制经过中没有低落OH量的工序,于是有恐怕惹起红外区域的光学招揽,低落高温粘性,进而鼓励Cu等金属杂质的扩散。此外,专利文献6中纪录的要领中,低落了OH基量的石英玻璃中有恐怕发生氧缺乏缺陷,正在245nm邻近展现招揽峰。专利文献1专利文献2专利文献3专利文献4专利文献5专利文献6日本特开平7-81971号公报(第3页)曰本净争开2006—8452号/才艮(第l页)日本特开平8-119664号公报(第2页)曰本净争开平4_238808号/才艮(第2页)日本特开平3-83833号公报(权益恳求书)日本特开平3-109223号公报(第l页)发现实质发现要处理的题目本发现的方针正在于克制上述题目,低价地供给一种石英玻璃,其适适用于运用紫外线、可睹光、红外线的各样光学原料、半导体筑制用部件、液晶筑制用部件、MEMS筑制用部件、液晶用玻璃基板中,紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高,Cu离子等金属杂质的扩散慢。本发现人等为处理上述题目实行了经心的钻研,结果创造一种石英玻璃,其对付波长245nm的紫外光,10mm厚度时的内透过率为95%以上、更优选为98%以上,且OH含量为5ppm以下,Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm、优选为0.05ppm以下,该玻璃正在1215。C下的粘度系数显示为10115Pas以上,其余,含有以重量比计为3ppm以下的Al,由此粘度系数为10^Pa.s以上,此外,1050。C下正在大气中安顿24小经常的铜离子的热扩散中,正在距外观深度为20iimlOOjim的区域中的Cu离子的扩散系数为lxlOVm秒以下,从而能处理上述课题。此外创造,该石英玻璃通过将原料硅石粉末预先方英石化后,正在非还原性空气中实行熔融,更优选通过等离子弧法实行熔融而能正在工业上轻易地筑制。基于这些相识而达成了本发现。用于处理题目的要领

  :本发现一方面供给一种熔融石英玻璃,其特点正在于,对付波长245nm的紫外光,10mm厚度时的内透过率为95%以上,优选为98%以上,且0H含量为5ppm以下,Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm,优选为0.05ppm以下。其余,本发现供给一种熔融石英玻璃,其特点正在于,除了具有上述特色以外,其1215。C下的粘度系数为1()Hspa.s以上,希奇优选含有以重量比计为3ppm以下的A1,1215°C下的粘度系数为10Gpa.s以上。其余,本发现供给一种熔融石英玻璃,其特点正在于,除了具有上述特色以外,1050。C下正在大气中安顿24小经常的铜离子的热扩散中,从距外观的深度抢先20pm起至100iLmi的区域中的Cu离子扩散系数为1x10—cm々秒以下。本发现的另一方面是供给一种上述熔融石英玻璃的筑制要领,其特点正在于,将原料硅石粉末方英石化后,正在非还原性空气中熔融。发现的后果本发现的熔融石英玻璃,因为正在紫外~可睹~红外区域根基没有特异性招揽,于是可能优选用作生机高透射率的各样光学原料,特别是蚀刻止境检测等的窗口原料。其余,本发现的熔融石英玻璃因为高纯度,高温粘性优异,Cu等金属杂质的扩散速率慢,于是还可能优选用作半导体热惩罚/筑制用炉材、夹具等半导体筑制装配用部件或MEMS筑制装配用夹具等,还优选用作紫外线用透镜和灯、液晶用玻璃基板等。凭据本发现的筑制要领,可能低价地得到具有上述特色的炫融石英3皮璃。图l是默示各实践例和对照例中得到的石英玻璃相对付波长的直线中得到的石英玻璃深度宗旨的Cu离子浓度散布的图。图3是默示对付实践例3和对照例4中得到的石英玻璃,正在厚度宗旨上至更深局部测定Cu离子浓度散布的结果的图。实在实践例办法以下对本发现实行周详外明。本发现的熔融石英玻璃对付波长245nm的紫外光,正在10mm试样厚度内,显示出95%以上、更优选为98%以上的内透过率。本发现中所谓的内透过率,是指除去玻璃外观的反射、招揽和散射的影响,换算成10mm试样厚度的透射率。可能以为内透7过率到达这样高的值等同于石英玻璃中氧缺乏缺陷的变成已被抑遏。其余,熔融石英玻璃的OH含量为5ppm以下,优选为2ppm以下。通过明显低落OH含量,能避免高温下的粘性低落而不抑遏红外区域的特异性招揽,其余,还能抑遏Cu离子的扩散。于是,适合正在半导体热惩罚用夹具等中利用。本发现中所谓的OH含量,是指由波长2730nm的招揽峰强度算出的、玻璃中所含的OH量。OH量的检测极限为lppm。其余,正在本发现的熔融石英玻璃中,遵守金属计(重量比),Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm,优选各自为0.05ppm以下,更优选各自为0.01ppm以下。通过低落这些元素的含量,从而能仍旧紫外光泽的透射率高,其余,可能更适适用作需避免杂质混入的半导体筑制装配用部件中。此外,本发现熔融石英玻璃中金属因素的含量通过ICP发射光谱法测定,其检测极限为0.01ppm。本发现的熔融石英玻璃具有高耐热性,实在地说,1215°C下的粘度系数优选为10spa.s以上,每每正在10115~10^Gpas的规模内。本发现的熔融石英玻璃因为其粘性降低,于是可能含有铝(Al)。A1的含量以金属A1(重量比)计,优选为0.13ppm,更优选为0.2~2ppm。含有Al的熔融石英玻璃正在1215。C下的粘度系数显示为10Gpa.s以上,更实在地说,显示为1012。~10125Pas的高粘性。其余,本发现熔融石英玻璃杂质的扩散速率慢,比如,1050。C下正在大气中安顿24小经常的铜离子的热扩散中,从距外观的深度抢先20jim起至lOO(im的区域中的Cu离子扩散系数优选为1x10_1Vm2/秒以下,更优选为3.5x10—11cm2/秒以下。8具有上述特色的本发现熔融石英玻璃纵然正在热加工或应力去除(退火)时,Cu、Na等金属杂质也不会从玻璃外观沿其厚度宗旨扩散到深处。其余,正在用作半导体筑制中的热惩罚工序或CVD工序的芯管时,具有能抑遏来自体例外的Cu等金属杂质的透过、扩散,淘汰对存正在于芯管内部的晶圆的污染的利益。以下,对本发现熔融石英玻璃的筑制要领实行周详刻画。本发现的熔融石英玻璃可能通过将原料硅石粉末预先方英石化后正在非还原性空气中熔融而筑制。举动原料硅石粉末,可能利用比如无定形硅石粉末。优选利用Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为0.05ppm以下,更优选为0.01ppm以下的高纯度无定形石圭石粉末。由此,可能得到正在半导体筑制等中利用的高纯度的石英玻璃,还能仍旧紫外区域的透射率较高。举动如此的无定形硅石,可能利用比如正在盐酸或氨催化下水解硅醇盐而得到二氧化硅凝胶,将其干燥并烧成而得到的高纯度无定形硅石;和将由碱金属硅酸盐水溶液和酸反映得到的二氧化硅凝胶纯化、烧成而得到的高纯度无定形硅石等。个中,由硅醇盐制备的高纯度无定形硅石容易得到高纯度的产物,于是是希奇优选的。举动将原料硅石粉末预先方英石化的要领,可能枚举各样要领。比如,正在不发生污染的合适处境下,对高纯度的无定形硅石粉末正在高温下长时期烧成,从而能得到高纯度的方英石粉末。其余,通过降低烧成工序的惩罚量和通过长时期烧成以低落来自烧成炉等的杂质污染,于是正在原料硅石粉末中增加结晶化鼓励剂实行烧成也诟谇常有用的。举动结晶化鼓励剂,优选比如方英石或氧化铝的微粉等。结晶化鼓励剂可能独立利用l种,也可能将2种以上夹杂利用。方英石可能正在须要避免玻璃中存正在A1的用处中利用。其增加量相对付无定形石圭石,优选为O.l~IO重量%。另一方面,氧化铝以金属铝计,增加约0.1ppm以上即可看到结晶化鼓励后果,同时还能看到石英玻璃的耐热性取得降低。Al正在半导体筑制中的氟类干法洗涤工序中,会天生氟化物的颗粒,于是优选将该增加量管制为较低。已知增加氧化铝所带来的耐热性降低后果以金属A1计正在23ppm足下即展现饱和目标,于是正在避免天生颗粒的用处中,Al增加量优选为O.l~3ppm,更优选为0.2~2ppm。烧成温度优选为1200~1700°C,烧成时期优选为1~IOO小时。烧成优选正在真空中或正在氮气、氩气、氦气或氧气的空气中实行。正在通过上述要领将原料粉末方英石化后实行烧成,每每能低落原料硅石粉末中所含的OH基量,然后,正在非还原性空气中熔融,从而能工业化地得到本发现的熔融石英玻璃。此外,原料硅石粉末方英石化的比例(结晶率)优选根基上为100%,每每,起码70%以上方英石化即可。方英石的转化比例可能通过比如X射线衍射法确定。更周详地说,比如可能由默示无定形硅石存正在的宽的暈(halo)图案和默示方英石存正在的陡峰的面积比来谋划。接着将方英石化的粉末熔融。为了抑遏氧气缺乏缺陷的发生,熔融正在非还原性空气中实行。正在还原性空气中熔融的话,则会发生氧气缺乏缺陷,容易正在245nm邻近发生招揽峰,于是是不优选的。举动非还原性空气,可能4吏用比如He、N2、Ar、02空气等。其余,举动熔融要领,为了不使已被低落的OH基量推广,必需正在加热源中倒霉用火焰,优选比如电熔融法或等离子弧熔融法等。特别是等离子弧熔融法无需利用容器就能筑制坯料,于是正在没有来自容器污染的见地上看,其是优选的。正在所得玻璃中的气泡成为题目的处境下,可能通过热等静压(HIP)惩罚完整除去气泡。通过该HIP惩罚会正在玻璃中发生双折射(应变),〗旦可能实行1200。C足下的退火惩罚除去应变。实践例以下,示出实践例对本发现进4亍更周详的i兌明。本发现并不受这些实践例任何控制。另夕卜,iE皮璃的评1^介要领如下所示。杂质阐述〉将玻璃试样溶化于氢氟酸,通过ICP发射光谱法测定玻璃中所含的杂质地。〈245nrn内透过率〉从坯料切出小片,正在相对的2个面进步行光学研磨,制成厚度10mm的透射率测定用试验片。测定波长245nm下包罗反射牺牲正在内的直线透射率,凭据下述l式,求出试样厚度10mm内的内透过率(Ti)。反射率R对付一切试样,以4%谋划。_1-iT《(1)个中,T默示蕴涵反射牺牲正在内的直线透射率,R默示反射率,Ti默示内透过率。011含量遵守与245nm内透过率测定用试样不异的要领制备试验片,测定入射光波长2.73jam和2.63(im下的透射率。利用下述2式,谋划出玻璃中所含的OH量(C)。ii个中,C默示OH基含量[ppm],丁2.63默示波长2.631111下的透射率,T2.73默示波长2.73pm下的透射率、t默示试样厚度[mm]。粘度系数〉从玻璃切出3mmx5mmxll0mm的试验片,正在一端固定的状况下,正在1215。C下仍旧10小时。由热惩罚后试验片的变形量,利用3式谋划出粘度系数(n)。个中,ti默示粘度系数,p默示玻璃密度,g默示重力加快率、At默示仍旧时期、a默示试样的悬置长度、b默示试样厚度、h默示变形量。^Cu离子扩散〉从玻璃切出50mmx50mmxlmm的试验片,安顿正在高纯度石英玻璃制匣钵(带盖)内。正在该匣钵中插手0.4gCuO粉末,并使其不与该试验片直接接触,盖上盖子,正在以石英玻璃管为芯管的电炉内,正在大气中,以300。C/小时的速率,从室温升温至1050°C,正在1050。C下加热24小时。将加热后的试验片用氢氟酸-硝酸夹杂溶液从外观顺序溶化,利用原子招揽法阐述溶化液,谋划出深度宗旨的Cu离子浓度。其余,利用实用于半无尽固体(semi-infinitesolid)中的扩散的扩散方程式即下述4式,谋划出扩散系数。此时,除去实习偏差大的从外观至深度20pim的区浓度的起码5个点,利用最小二乘法,代入4式的系数,谋划出扩散系数。其余,为了衡量出更深区域的Cu扩散活动,使Cu从厚20mm的试验片的一侧实行扩散,实行同样评判。formulaformulaseeoriginaldocumentpage13/formula(4)个中,C默示距外观的隔绝x下的浓度[ppm],Co默示初始浓度、x默示距外观的隔绝[cm],D默示扩散系数[cmV秒]、t默示扩散时期[秒]、erf(z):默示偏差函数、er/f^^)默示由_^fAeV^界说的特色值。实践例1正在Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为O.Olppm以下,OH含量为40ppm,粒径为约200pm的高纯度无定形合成硅石粉末中,夹杂0.1重量%的方英石粉末,正在1500。C下烧成60小时,从而得到结晶化率为约100%的方英石粉末。将所得方英石粉末正在氩气空气下,正在输入功率590A/160V,原料供应速率4.5kg/hr的要求下,通过等离子弧实行熔融,得到玻璃坯料。对所得坯料施加HIP惩罚,然后实行退火惩罚除去应变。所得熔融石英玻璃中的杂质如外l中所示。其余,相对付波长245nm紫外线中所示。实践例l的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性招揽,为高纯度、高粘性的。其余,以CuO为扩散源、正在大气中实行1050。C、24小时的Cu离子扩散试验,显示出如图2中所示的浓度散布。正在距外观深度抢先20jam至lOOpm的区域中的Cu离子浓度散布中,代入扩散方程式,谋划出扩散系数为3.44x1(T11cm2/秒。实践例2除了熔融要领为正在氮气中的电熔融法,熔融要求为1800°C,l小时以外,遵守与实践例l不异的要领筑制熔融石英玻璃,杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。实践例2的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性招揽,为高纯度、高粘性。实践例3除了正在实践例1中利用的无定形合成硅石粉末中,夹杂以重量比计A1为lppm的氧化铝粉末,并4吏用正在与实践例l不异要求下烧成而得到的结晶化率为约100%的方英石粉末以外,遵守与实践例l不异的要领筑制熔融石英玻璃,杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。实践例3的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性招揽,为高纯度、高粘性。其余,以CuO为扩散源,正在大气中实行1050。C、24小时的Cu离子扩散试验,显示出如图2中所示的浓度散布。正在距外观深度抢先20nm至100iim的区域中的Cu离子浓度散布中,代入扩散方程式,谋划出扩散系数为4.92x10_cm秒。其余,正在图3中示出更深区域的Cu离子浓度散布。如图3中所示,判决实践例3的石英玻璃的Cu离子扩散仅限于玻璃的最外观。实践例4除了等离子熔融时原料供应速率为4.0kg/hr以外,遵守与实践例3不异的要领筑制熔融石英玻璃,杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。实践例4的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性招揽,为高纯度、高粘性。比车交例1除了没有将实践例l中利用的高纯度无定形硅石粉末方英石化而是直接利用以外,遵守与实践例l不异的要领筑制熔融石英玻璃,杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。对照例l的石英玻璃245nm的内透过率高,但含有洪量OH量,于是粘度值低。其余,以CuO为扩散源,正在大气中实行1050。C、24小时的Cu离子扩散试验,显示出如图2中所示的浓度散布。正在距外观深度抢先20nm至100iim的区域中的Cu离子浓度散布中,代入扩散方程式,谋划出扩散系数为1.07x10—1Vm々秒。比寿交例2除了熔融要领为真空电熔融法以外,遵守与实践例l不异的要领筑制熔融石英玻璃,杂质、内透过率、粘度系数如外l和外2中所示。对照例2的石英玻璃残留0H基的浓度低,粘度系数高,但展现推定因为氧缺乏缺陷惹起的招揽峰,245nm的内透过率低。比4交例3通过氢氧火焰熔融自然硅石,筑制熔融石英玻璃,杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。对照例3的石英玻璃含有洪量Li、Na、K、Mg、Ca,245nm的内透过率也低。比4交例4通过等离子弧熔融自然硅石,由此筑制熔融石英玻璃,杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。对照例4的石英玻璃残留OH基少,高温粘性高,但含有洪量Li、Na、K、Mg、Ca,245nm的内透过率也低。其余,以CuO为扩散源,正在大气中实行1050。C、24小时的Cu离子扩散试验中,显示出如图2中所示的浓度散布。正在距外观深度抢先20(am至100fim的区域中的Cu离子浓度散布中,代入扩散方程式,谋划出扩散系数为1.53x10-1°cm2/秒。其余,正在图3中示出更深区域的Cu离子浓度散布。对付对照例4的石英玻璃,Cu离子正在厚度宗旨上扩散到很深处,判决将贯穿每每举动半导体热惩罚用芯管厚度即5mm足下的玻璃。比專交例5,i、0.12ppm的Na、0,05ppm的K,0,05ppm的Mg、0.22ppm的Ca、O.Olppm以下Cu的无定形合成硅石粉末以外,遵守与实践例3不异的要领筑制熔融石英玻璃,杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。对照例5的石英玻璃残留OH基少,高温粘性高,但含有洪量Li、Na、K、Mg、Ca,245nm的内透过率也4氐。比4交例6对用氩氧火焰将四氯化硅加热水解而变成的众孔石英玻璃体(烟尘体),正在还原空气中加热惩罚,然后烧结,从而筑制石英玻璃,杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。对照例6的石英玻璃残留OH基少,纯度高,但245nm的内透过率低,推定发生了氧缺乏缺陷。其余,因为筑制工序繁瑣,所得石英玻璃的本钱至极高。实践例5~8除了转换氧化铝的增加量以外,遵守与实践例l不异的要领筑制玻璃,0H含量和粘度系数如外3所示(实践例l没有增加氧化铝)。通过增加氧化铝,粘性值上升,判决Al含量为2ppm足下则粘度值饱和。其余,对付实践例8的玻璃,以CuO为扩散源,正在大气中实行105(TC、24小时的Cu离子扩散试验,显示出如图2中所示的浓度散布。正在距外观深度抢先20nm至100(im的区域中的Cu离子浓度散布中,代入扩散方程式,谋划出扩散系数为1.50x10—;2/秒。外l16tabletableseeoriginaldocumentpage17/column/rowtable家当上的可运用性本发现的熔融石英玻璃因为正在紫外~可睹~红外区域根基没有特异性招揽,于是适适用作生机高透射率的各样光学原料,特别可能用作蚀刻止境检测等的窗口原料。其余,本发现的熔融石英玻璃因为高纯度、高温粘性优异且Cu等金属杂质的扩散半导体筑制装配用部件或MEMS筑制装配用夹具等,还适适用作紫外线用透镜和灯、液晶用玻璃基板等权益恳求1.一种熔融石英玻璃,其特点正在于,对付波长245nm的紫外光,10mm厚度时的内透过率为95%以上,且OH含量为5ppm以下,Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm。2.凭据权益恳求l所述的熔融石英玻璃,其特点正在于,对付波长245nm的紫外光,10mm厚度时的内透过率为98%以上。3.凭据权益恳求1或2所述的熔融石英玻璃,其特点正在于,1215°C下的粘度系数为1()USpa.s以上。4.凭据权益恳求1或2所述的熔融石英玻璃,其特点正在于,含有以重量比计为3ppm以下的Al,1215°C下的粘度系数为10Gpas以上。5.凭据权益恳求l~4中自便一项所述的熔融石英玻璃,其特点正在于,1050°C下正在大气中安顿24小经常的铜离子的热扩散中,正在距外观的深度抢先20jim起至100^im的区域中的Cu离子的扩散系数为1x1(Tcm秒以下。6.—种权益恳求l~5中自便一项所述的熔融石英玻璃的筑制要领,其特点正在于,将原料硅石粉末方英石化后正在非还原性空气中熔融。7.凭据权益恳求6所述的熔融石英玻璃的筑制要领,其特点正在于,通过等离子弧熔融法正在非还原性空气中实行熔融。8.—种半导体筑制装配用部件,其特点正在于,由权益恳求1~5中自便一项所述的熔融石英玻璃变成。9.一种液晶筑制装配用部件,其特点正在于,包罗权益恳求1~5中自便一项所述的熔融石英玻璃。全文摘要一种熔融石英玻璃,其对付波长245nm的紫外光,正在10mm厚度内的内透过率为95%以上,OH含量为5ppm以下kb,Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm。优选该熔融石英玻璃正在1215℃下的粘度系数为10sup11.5/supPa·s以上,此外,1050℃下正在大气中安顿24小时的、正在距外观的深度抢先20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10sup-10/supcmsup2/sup/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料硅石粉末方英石化后正在非还原性空气中熔融而筑制。该熔融石英玻璃具有紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速率小的特色,适合举动各样光学原料、半导体筑制用部件、液晶筑制用部件等。文档编号C03B20/00GK101511744SQ公然日2009年8月19日申请日期2007年9月11日优先权日2006年9月11日发现者内田雅人,原田良习,堀越秀春,山田修辅,新井一喜,桥本真吉,高畑努申请人:东曹株式会社;东曹Sgm株式会社

  技能研发职员:新井一喜;高畑努;桥本真吉;内田雅人;山田修辅;原田良习;堀越秀春

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