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　　新井一喜; 高畑努; 桥本真吉; 内田雅人; 山田修辅; 原田良习; 堀越秀春

　　一种熔融石英玻璃，其关于波长245nm的紫外光，正在10mm厚度内的内透过率为95％以上，OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm。优选该熔融石英玻璃正在1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上，其余，1050℃下正在大气中就寝24小时的、正在距皮相的深度越过20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10-10cm2/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料硅石粉末方英石化后正在非还原性氛围中熔融而筑筑。该熔融石英玻璃具有紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速率小的特色，适合行动种种光学资料、半导体筑筑用部件、液晶筑筑用部件等。

　　1.一种熔融石英玻璃，其特质正在于，关于波长245nm的紫外光，10mm厚度时的内透过率为95％以上，且OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm。

　　2.按照权力请求1所述的熔融石英玻璃，其特质正在于，关于波长245nm的紫外光，10mm厚度时的内透过率为98％以上。

　　3.按照权力请求1或2所述的熔融石英玻璃，其特质正在于，1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上。

　　4.按照权力请求1或2所述的熔融石英玻璃，其特质正在于，含有以重量比计为3ppm以下的Al，1215℃下的粘度系数为1012.0Pa·s以上。

　　5.按照权力请求1～4中纵情一项所述的熔融石英玻璃，其特质正在于，1050℃下正在大气中就寝24小往往的铜离子的热扩散中，正在距皮相的深度越过20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10-10cm2/秒以下。

　　6.一种权力请求1～5中纵情一项所述的熔融石英玻璃的筑筑要领，其特质正在于，将原料硅石粉末方英石化后正在非还原性氛围中熔融。

　　7.按照权力请求6所述的熔融石英玻璃的筑筑要领，其特质正在于，通过等离子弧熔融法正在非还原性氛围中实行熔融。

　　8.一种半导体筑筑装配用部件，其特质正在于，由权力请求1～5中纵情一项所述的熔融石英玻璃变成。

　　9.一种液晶筑筑装配用部件，其特质正在于，包罗权力请求1～5中纵情一项所述的熔融石英玻璃kb。

　　本创造涉及一种熔融石英玻璃及其筑筑要领，所述熔融石英玻璃的紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高、Cu等金属杂质的扩散速率小。

　　本创造的熔融石英玻璃能够用作种种光学资料、半导体筑筑用部件、液晶筑筑用部件、MEMS(MicroElectroMechanicalSystems，微电子死板体系)筑筑用部件、液晶用玻璃基板等。加倍适适用作正在半导体热惩罚工序或CVD工序中操纵的芯管(corepipe)。

　　正在种种光学资料、半导体筑筑用部件、液晶筑筑用部件、MEMS筑筑用部件、液晶用玻璃基板等用处中，巴望紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高的石英玻璃。

　　其余，正在半导体、液晶或MEMS筑筑周围中，石英玻璃制的检视区(viewpoint)众用于蚀刻的止境检测等中，巴望从紫外区域至可睹区域、红外区域都具有优秀的光透过性且能以低本钱筑筑的石英玻璃。

　　另外，近年来正在半导体热惩罚工序中，存正在Cu导致的污染题目。该题目是从热惩罚用石英管(芯管)外部的加热器等爆发的Cu正在热惩罚用石英管内扩散，而污染安设正在石英管内部的晶圆，于是巴望铜等金属杂质扩散系数小的石英玻璃。

　　熔融石英玻璃通过将行动原料的硅石粉末正在氢氧火焰、等离子弧、真空电炉等中熔融而筑筑，与下述合成石英玻璃比拟，具有筑筑本钱低廉的好处。个中，操纵自然硅石粉末末行动二氧化硅原料，通过等离子弧或真空电熔融等不会填补OH基量的熔融要领而筑筑的石英玻璃，其高温粘性高，耐热性优异，于是正在半导体热惩罚工序或CVD工序中通俗操纵。

　　然而，操纵自然硅石原料的熔融石英玻璃含有0.1～0.5ppm把握的半导体筑筑中需规避的Li、K、Na、Ca元素等，无法正在请求高纯度的用处(比如，晶圆的高温退火等)中操纵。其余，因为一样正在紫外区域(200nm～240nm)中具有接收带，于是行动紫外线用光学资料(比如，止境检测用窗口资料(windowmaterials)等)特色也亏损。另外，存正在Cu等金属杂质的扩散速率很速云云的题目。

　　于是，关于请求高纯度的用处，已知有操纵无定形高纯度合成硅石粉末行动二氧化硅原料的要领(比如，参考专利文献1、2)。然而，无定形合成硅石粉末一样通过溶胶凝胶法等湿式工艺制备，于是，正在由无定形合成硅石粉末筑筑的石英玻璃中，残留着数十ppm把握的OH基。石英玻璃中的残留OH基不但会惹起红外区域的光学接收，又有能够使高温粘性恶化，进而推动Cu等金属杂质的扩散。

　　于是，已知有将行动原料的无定形合成硅石粉末预先结晶来低重OH基的要领(比如，参考专利文献3、4)。然而，专利文献3的要领中杂质含量的低重不足富裕，巴望能进一步低重。其余，专利文献3中公然的熔融要领因为正在强还原氛围下实行玻璃化，于是有能够正在245nm相近展示推定是因为缺乏氧所惹起的接收峰。另外，专利文献4中既没相合于玻璃化时的气氛的纪录，也没相合于取得何种石英玻璃的任何纪录或启迪。

　　另一方面，合成石英玻璃通过将高度纯化的四氯化硅等挥发性的二氧化硅原料正在氢氧火焰等之下实行高温水解而筑筑，具有纯度额外高的好处。然而，已知合成石英玻璃一样正在高温区域的粘度系数较低。行动适合于请求耐热性用处的合成石英玻璃的筑筑要领，已知有将挥发性二氧化硅原料加热水解，使由此天生的二氧化硅微粉聚集成的众孔石英玻璃体(烟尘体，soot-body)中含有Al，对其实行加热、烧结从而制成透后玻璃体的要领(比如，参考专利文献5)，或者正在还原氛围中对烟尘体实行加热惩罚，低重OH量，然后对其实行加热、烧结，从而制成透后玻璃体的要领(比如，参考专利文献6)。然而，全体要领的工艺均较为丰富，于是所得玻璃额外高贵。

　　另外，专利文献5中纪录的合成石英玻璃正在筑筑经过中没有低重OH量的工序，于是有能够惹起红外区域的光学接收，低重高温粘性，进而推动Cu等金属杂质的扩散。

　　其余，专利文献6中纪录的要领中，低重了OH基量的石英玻璃中有能够爆发氧缺乏缺陷，正在245nm相近展示接收峰。

　　本创造的目标正在于制服上述题目，低价地供给一种石英玻璃，其适适用于运用紫外线、可睹光、红外线的种种光学资料、半导体筑筑用部件、液晶筑筑用部件、MEMS筑筑用部件、液晶用玻璃基板中，紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高，Cu离子等金属杂质的扩散慢。

　　本创造人等为治理上述题目实行了经心的斟酌，结果呈现一种石英玻璃，其关于波长245nm的紫外光，10mm厚度时的内透过率为95％以上、更优选为98％以上，且OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm、优选为0.05ppm以下，该玻璃正在1215℃下的粘度系数显示为1011.5Pa·s以上，另外，含有以重量比计为3ppm以下的Al，由此粘度系数为1012.0Pa·s以上，其余，1050℃下正在大气中就寝24小往往的铜离子的热扩散中，正在距皮相深度为20μm～100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10-10cm2/秒以下，从而能治理上述课题。其余呈现，该石英玻璃通过将原料硅石粉末预先方英石化后，正在非还原性氛围中实行熔融，更优选通过等离子弧法实行熔融而能正在工业上利便地筑筑。基于这些相识而实行了本创造。

　　本创造一方面供给一种熔融石英玻璃，其特质正在于，关于波长245nm的紫外光，10mm厚度时的内透过率为95％以上，优选为98％以上，且OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm，优选为0.05ppm以下。

　　另外，本创造供给一种熔融石英玻璃，其特质正在于，除了具有上述特色以外，其1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上，稀少优选含有以重量比计为3ppm以下的Al，1215℃下的粘度系数为1012.0Pa·s以上。

　　另外，本创造供给一种熔融石英玻璃，其特质正在于，除了具有上述特色以外，1050℃下正在大气中就寝24小往往的铜离子的热扩散中，从距皮相的深度越过20μm起至100μm的区域中的Cu离子扩散系数为1×10-10cm2/秒以下。

　　本创造的另一方面是供给一种上述熔融石英玻璃的筑筑要领，其特质正在于，将原料硅石粉末方英石化后，正在非还原性氛围中熔融。

　　本创造的熔融石英玻璃，因为正在紫外～可睹～红外区域根本没有特异性接收，于是能够优选用作巴望高透射率的种种光学资料，加倍是蚀刻止境检测等的窗口资料。另外，本创造的熔融石英玻璃因为高纯度，高温粘性优异，Cu等金属杂质的扩散速率慢，于是还能够优选用作半导体热惩罚/筑筑用炉材、夹具等半导体筑筑装配用部件或MEMS筑筑装配用夹具等，还优选用作紫外线用透镜和灯、液晶用玻璃基板等。

　　图1是默示各推行例和比力例中取得的石英玻璃相关于波长的直线中取得的石英玻璃深度偏向的Cu离子浓度分散的图。

　　图3是默示关于推行例3和比力例4中取得的石英玻璃，正在厚度偏向上至更深局限测定Cu离子浓度分散的结果的图。

　　本创造的熔融石英玻璃关于波长245nm的紫外光，正在10mm试样厚度内，显示出95％以上、更优选为98％以上的内透过率。本创造中所谓的“内透过率”，是指除去玻璃皮相的反射、接收和散射的影响，换算成10mm试样厚度的透射率。能够以为内透过率到达如斯高的值等同于石英玻璃中氧缺乏缺陷的变成已被按捺。

　　另外，熔融石英玻璃的OH含量为5ppm以下，优选为2ppm以下。通过明显低重OH含量，能避免高温下的粘性低重而不按捺红外区域的特异性接收，另外，还能按捺Cu离子的扩散。于是，适合正在半导体热惩罚用夹具等中操纵。本创造中所谓的“OH含量”，是指由波长2730nm的接收峰强度算出的、玻璃中所含的OH量。OH量的检测极限为1ppm。

　　另外，正在本创造的熔融石英玻璃中，根据金属计(重量比)，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm，优选各自为0.05ppm以下，更优选各自为0.01ppm以下。通过低重这些元素的含量，从而能仍旧紫外光泽的透射率高，另外，能够更适适用作需避免杂质混入的半导体筑筑装配用部件中。其余，本创造熔融石英玻璃中金属因素的含量通过ICP发射光谱法测定，其检测极限为0.01ppm。

　　本创造的熔融石英玻璃具有高耐热性，完全地说，1215℃下的粘度系数优选为10

　　11.5Pa·s以上，一样正在1011.5～1012.0Pa·s的限制内。本创造的熔融石英玻璃因为其粘性进步，于是能够含有铝(Al)。Al的含量以金属Al(重量比)计，优选为0.1～3ppm，更优选为0.2～2ppm。含有Al的熔融石英玻璃正在1215℃下的粘度系数显示为10

　　12.0Pa·s以上，更完全地说，显示为1012.0～1012.5Pa·s的高粘性。另外，本创造熔融石英玻璃杂质的扩散速率慢，比如，1050℃下正在大气中就寝24小往往的铜离子的热扩散中，从距皮相的深度越过20μm起至100μm的区域中的Cu离子扩散系数优选为1×10

　　-10cm2/秒以下，更优选为3.5×10-11cm2/秒以下。具有上述特色的本创造熔融石英玻璃纵然正在热加工或应力去除(退火)时，Cu、Na等金属杂质也不会从玻璃皮相沿其厚度偏向扩散到深处。另外，正在用作半导体筑筑中的热惩罚工序或CVD工序的芯管时，具有能按捺来自体例外的Cu等金属杂质的透过、扩散，节减对存正在于芯管内部的晶圆的污染的好处。

　　本创造的熔融石英玻璃能够通过将原料硅石粉末预先方英石化后正在非还原性氛围中熔融而筑筑。

　　行动原料硅石粉末，能够操纵比如无定形硅石粉末。优选操纵Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为0.05ppm以下，更优选为0.01ppm以下的高纯度无定形硅石粉末。由此，能够取得正在半导体筑筑等中操纵的高纯度的石英玻璃，还能仍旧紫外区域的透射率较高。

　　行动云云的无定形硅石，能够操纵比如正在盐酸或氨催化下水解硅醇盐而取得二氧化硅凝胶，将其干燥并烧成而取得的高纯度无定形硅石；和将由碱金属硅酸盐水溶液和酸反映取得的二氧化硅凝胶纯化、烧成而取得的高纯度无定形硅石等。个中，由硅醇盐制备的高纯度无定形硅石容易取得高纯度的产物，于是是稀少优选的。

　　行动将原料硅石粉末预先方英石化的要领，能够罗列种种要领。比如，正在不爆发污染的妥当境遇下，对高纯度的无定形硅石粉末正在高温下长岁月烧成，从而能取得高纯度的方英石粉末。

　　另外，通过进步烧成工序的惩罚量和通过长岁月烧成以低重来自烧成炉等的杂质污染，于是正在原料硅石粉末中增加结晶化推动剂实行烧成也吵嘴常有用的。

　　行动结晶化推动剂，优选比如方英石或氧化铝的微粉等。结晶化推动剂能够独自操纵1种，也能够将2种以上同化操纵。方英石能够正在需求避免玻璃中存正在Al的用处中操纵。其增加量相关于无定形硅石，优选为0.1～10重量％。另一方面，氧化铝以金属铝计，增加约0.1ppm以上即可看到结晶化推动效率，同时还能看到石英玻璃的耐热性取得进步。Al正在半导体筑筑中的氟类干法洗刷工序中，会天生氟化物的颗粒，于是优选将该增加量局限为较低。已知增加氧化铝所带来的耐热性进步效率以金属Al计正在2～3ppm把握即展示饱和偏向，于是正在避免天生颗粒的用处中，Al增加量优选为0.1～3ppm，更优选为0.2～2ppm。

　　烧成温度优选为1200～1700℃，烧成岁月优选为1～100小时。烧成优选正在真空中或正在氮气、氩气、氦气或氧气的氛围中实行。

　　正在通过上述要领将原料粉末方英石化后实行烧成，一样能低重原料硅石粉末中所含的OH基量，然后，正在非还原性氛围中熔融，从而能工业化地取得本创造的熔融石英玻璃。其余，原料硅石粉末方英石化的比例(结晶率)优选根本上为100％，一样，起码70％以上方英石化即可。方英石的转化比例能够通过比如X射线衍射法确定。更周密地说，比如能够由默示无定形硅石存正在的宽的晕(halo)图案和默示方英石存正在的陡峰的面积比来筹划。

　　接着将方英石化的粉末熔融。为了按捺氧气缺乏缺陷的爆发，熔融正在非还原性氛围中实行。正在还原性氛围中熔融的话，则会爆发氧气缺乏缺陷，容易正在245nm相近爆发接收峰，于是是不优选的。行动非还原性氛围，能够操纵比如He、N

　　2、Ar、O2氛围等。另外，行动熔融要领，为了不使已被低重的OH基量填补，必需正在加热源中不操纵火焰，优选比如电熔融法或等离子弧熔融法等。加倍是等离子弧熔融法无需操纵容器就能筑筑坯料，于是正在没有来自容器污染的观念上看，其是优选的。

　　正在所得玻璃中的气泡成为题目的情景下，能够通过热等静压(HIP)惩罚十足除去气泡。通过该HIP惩罚会正在玻璃中爆发双折射(应变)，但能够实行1200℃把握的退火惩罚除去应变。

　　以下，示出推行例对本创造实行更周密的声明。本创造并不受这些推行例任何节制。

　　从坯料切出小片，正在相对的2个眼前进行光学研磨，制成厚度10mm的透射率测定用试验片。测定波长245nm下包罗反射耗损正在内的直线mm内的内透过率(Ti)。反射率R关于扫数试样，以4％筹划。

　　根据与245nm内透过率测定用试样雷同的要领制备试验片，测定入射光波长2.73μm和2.63μm下的透射率。操纵下述2式，筹划出玻璃中所含的OH量(C)。

　　2.63默示波长2.63μm下的透射率，T2.73默示波长2.73μm下的透射率、t默示试样厚度[mm]。粘度系数

　　从玻璃切出3mm×5mm×110mm的试验片，正在一端固定的状况下，正在1215℃下仍旧10小时。由热惩罚后试验片的变形量，操纵3式筹划出粘度系数(η)。

　　![cdata[η=ρgΔta42b2h---(3)]]个中，η默示粘度系数，ρ默示玻璃密度，g默示重力加快率、Δt默示仍旧岁月、a默示试样的悬置长度、b默示试样厚度、h默示变形量。

　　从玻璃切出50mm×50mm×1mm的试验片，就寝正在高纯度石英玻璃制匣钵(带盖)内。正在该匣钵中到场0.4gCuO粉末，并使其不与该试验片直接接触，盖上盖子，正在以石英玻璃管为芯管的电炉内，正在大气中，以300℃/小时的速率，从室温升温至1050℃，正在1050℃下加热24小时。将加热后的试验片用氢氟酸-硝酸同化溶液从皮相次第熔化，操纵原子接收法分解熔化液，筹划出深度偏向的Cu离子浓度。另外，操纵合用于半无穷固体(semi-infinitesolid)中的扩散的扩散方程式即下述4式，筹划出扩散系数。此时，除去实践差错大的从皮相至深度20μm的区域，关于正在深度越过20μm起至100μm的区域中测定的各Cu离子浓度的起码5个点，操纵最小二乘法，代入4式的系数，筹划出扩散系数。

　　另外，为了衡量出更深区域的Cu扩散举动，使Cu从厚20mm的试验片的一侧实行扩散，实行同样评议。

　　0默示初始浓度、x默示距皮相的间隔[cm]，D默示扩散系数[cm2/秒]、t默示扩散岁月[秒]、erf(z)：默示差错函数、src=默示由

　　推行例1正在Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为0.01ppm以下，OH含量为40ppm，粒径为约200μm的高纯度无定形合成硅石粉末中，同化0.1重量％的方英石粉末，正在1500℃下烧成60小时，从而取得结晶化率为约100％的方英石粉末。

　　将所得方英石粉末正在氩气氛围下，正在输入功率：590A/160V，原料供应速率：4.5kg/hr的条目下，通过等离子弧实行熔融，取得玻璃坯料。对所得坯料施加HIP惩罚，然后实行退火惩罚除去应变。

　　所得熔融石英玻璃中的杂质如外1中所示。另外，相关于波长245nm紫外线的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性接收，为高纯度、高粘性的。

　　另外，以CuO为扩散源、正在大气中实行1050℃、24小时的Cu离子扩散试验，显示出如图2中所示的浓度分散。正在距皮相深度越过20μm至100μm的区域中的Cu离子浓度分散中，代入扩散方程式，筹划出扩散系数为3.44×10

　　推行例2除了熔融要领为正在氮气中的电熔融法，熔融条目为1800℃，1小时以外，根据与推行例1雷同的要领筑筑熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。推行例2的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性接收，为高纯度、高粘性。

　　推行例3除了正在推行例1中操纵的无定形合成硅石粉末中，同化以重量比计Al为1ppm的氧化铝粉末，并操纵正在与推行例1雷同条目下烧成而取得的结晶化率为约100％的方英石粉末以外，根据与推行例1雷同的要领筑筑熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。推行例3的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性接收，为高纯度、高粘性。

　　另外，以CuO为扩散源，正在大气中实行1050℃、24小时的Cu离子扩散试验，显示出如图2中所示的浓度分散。正在距皮相深度越过20μm至100μm的区域中的Cu离子浓度分散中，代入扩散方程式，筹划出扩散系数为4.92×10

　　-11cm2/秒。另外，正在图3中示出更深区域的Cu离子浓度分散。如图3中所示，判别推行例3的石英玻璃的Cu离子扩散仅限于玻璃的最皮相。

　　推行例4除了等离子熔融时原料供应速率为4.0kg/hr以外，根据与推行例3雷同的要领筑筑熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。推行例4的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性接收，为高纯度、高粘性。

　　比力例1除了没有将推行例1中操纵的高纯度无定形硅石粉末方英石化而是直接操纵以外，根据与推行例1雷同的要领筑筑熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。比力例1的石英玻璃245nm的内透过率高，但含有大宗OH量，于是粘度值低。

　　另外，以CuO为扩散源，正在大气中实行1050℃、24小时的Cu离子扩散试验，显示出如图2中所示的浓度分散。正在距皮相深度越过20μm至100μm的区域中的Cu离子浓度分散中，代入扩散方程式，筹划出扩散系数为1.07×10

　　比力例2除了熔融要领为真空电熔融法以外，根据与推行例1雷同的要领筑筑熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。比力例2的石英玻璃残留OH基的浓度低，粘度系数高，但展示推定因为氧缺乏缺陷惹起的接收峰，245nm的内透过率低。

　　比力例3通过氢氧火焰熔融自然硅石，筑筑熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。比力例3的石英玻璃含有大宗Li、Na、K、Mg、Ca，245nm的内透过率也低。

　　比力例4通过等离子弧熔融自然硅石，由此筑筑熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。比力例4的石英玻璃残留OH基少，高温粘性高，但含有大宗Li、Na、K、Mg、Ca，245nm的内透过率也低。

　　另外，以CuO为扩散源，正在大气中实行1050℃、24小时的Cu离子扩散试验中，显示出如图2中所示的浓度分散。正在距皮相深度越过20μm至100μm的区域中的Cu离子浓度分散中，代入扩散方程式，筹划出扩散系数为1.53×10

　　-10cm2/秒。另外，正在图3中示出更深区域的Cu离子浓度分散。关于比力例4的石英玻璃，Cu离子正在厚度偏向上扩散到很深处，判别将贯穿一样行动半导体热惩罚用芯管厚度即5mm把握的玻璃。

　　比力例5除了操纵正在硅石原料中含有0.01ppm以下的Li、0.12ppm的Na、0.05ppm的K，0.05ppm的Mg、0.22ppm的Ca、0.01ppm以下Cu的无定形合成硅石粉末以外，根据与推行例3雷同的要领筑筑熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。比力例5的石英玻璃残留OH基少，高温粘性高，但含有大宗Li、Na、K、Mg、Ca，245nm的内透过率也低。

　　比力例6对用氢氧火焰将四氯化硅加热水解而变成的众孔石英玻璃体(烟尘体)，正在还原氛围中加热惩罚，然后烧结，从而筑筑石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。比力例6的石英玻璃残留OH基少，纯度高，但245nm的内透过率低，推定爆发了氧缺乏缺陷。另外，因为筑筑工序繁琐，所得石英玻璃的本钱额外高。

　　推行例5～8除了改换氧化铝的增加量以外，根据与推行例1雷同的要领筑筑玻璃，OH含量和粘度系数如外3所示(推行例1没有增加氧化铝)。通过增加氧化铝，粘性值上升，判别Al含量为2ppm把握则粘度值饱和。

　　另外，关于推行例8的玻璃，以CuO为扩散源，正在大气中实行1050℃、24小时的Cu离子扩散试验，显示出如图2中所示的浓度分散。正在距皮相深度越过20μm至100μm的区域中的Cu离子浓度分散中，代入扩散方程式，筹划出扩散系数为1.50×10

　　家当上的可运用性本创造的熔融石英玻璃因为正在紫外～可睹～红外区域根本没有特异性接收，于是适适用作巴望高透射率的种种光学资料，加倍能够用作蚀刻止境检测等的窗口资料。另外，本创造的熔融石英玻璃因为高纯度、高温粘性优异且Cu等金属杂质的扩散速率慢，于是还适适用作半导体热惩罚/筑筑用的炉材、夹具等半导体筑筑装配用部件或MEMS筑筑装配用夹具等，还适适用作紫外线用透镜和灯、液晶用玻璃基板等。

　　一种熔融石英玻璃，其关于波长245nm的紫外光，正在10mm厚度内的内透过率为95以上，OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏损0.1ppm。优选该熔融石英玻璃正在1215下的粘度系数为1011.5Pas以上，其余，1050下正在大气中就寝24小时的、正在距皮相的深度越过20m起至100m的区域中的Cu离子的扩散系数为110-10cm2/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料硅石。