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类别：行业资讯 发布时间：2024-03-25 01:38:47 浏览： 次
正在半导体创设历程中，防卫和掌管颗粒污染是进步半导体产率的合节。为了掌管和节减半导体创设历程中的纳米颗粒污染，该当同时考虑颗粒的变成、输运、重积和过滤。
本文考虑的主意是1)外明无颗粒境遇中的颗粒变成，2)考虑管道中的颗粒重积和传输特质，3)提出一种新的阐发方程，用于估量纳米纤维过滤介质的压降。
本文通过原子力显微镜、扫描电子显微镜、红外光谱和阳极键合实践，考虑了三种区别的轮廓洗濯历程（degreasing, piranha solution and RCA solution）对晶圆轮廓的影响。
阐发结果解说，正在RCA溶液洗濯晶圆与耐热玻璃的阳极键合历程中，键合界面连绵更严紧，获取了最佳的轮廓职能。晶片与耐热玻璃的阳极键合实践解说，键合电流随外加电压的填充而填充，键合年光相应缩短。这正在RCA洗濯的环境下最为显然。扫描电镜图像显示，跟着键合电压的填充，键合界面变得尤其匀称，没有显然的空泛。因为强电场和温度场的注入，正在键合界面上爆发了不行逆的化学反响。
本文提出了一种基于金属电化学侵蚀的单晶碳化硅化学机器掷光办法，并考虑了单晶碳化硅硅面的侵蚀职能和磨损职能。通过较量铝、铜和铁金属正在硫酸钠电解质溶液中对硅轮廓的侵蚀职能，发明唯有铝才干出现显然的侵蚀层。对硅面的EDS和XPS阐发说明，侵蚀是因为二氧化硅层的变成。
通过摩擦磨损实践，考虑溶液构成对硅面磨损行径的影响。填充硫酸钠电解质溶液的浓度会导致更高的磨损，正在1 mol/L硫酸钠电解质溶液中获取的最大磨损值为7.19µm2。正在酸性侵蚀溶液中硅面的资料去除率最高，正在pH值为3时，磨损值为11.97µm2。单晶碳化硅通过金属电化学侵蚀去除资料的机制涉及阴极铝的侵蚀反响，出现侵蚀电流，随后阳极碳化硅轮廓氧化，变成二氧化硅氧化层导致资料去除。
熔融石英玻璃具有优秀的耐化学性、光学、电学和机器职能是微机器、微流体和光学器件的首选资料。湿法蚀刻是创设此类微器件的合节办法kb体育。因为蚀刻液具有极强的腐蚀性，是以扞卫掩膜的完善性是一个很大的挑拨。正在此，咱们提出了一种基于熔融二氧化硅深度蚀刻的众级微构造创设办法。
最先，本文阐发了熔融二氧化硅正在缓冲氧化物蚀刻(BOE)溶液中的融解机理。然后，咱们通过实践考虑了BOE构成(1:1-14:1)对金属/光刻胶掩膜深度刻蚀历程中掩膜电阻、刻蚀速度和剖面各向同性的影响。最终，咱们浮现了一种高质料的高出200 μm的众电平蚀刻工艺。
合节词：颗粒/轮廓洗濯工艺/化学侵蚀/二氧化硅/BOE溶液/单晶碳化硅/化学机器掷光/石英玻璃/湿法刻蚀
