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类别:公司动态 发布时间:2024-03-28 23:02:41 浏览: 次
[0001] 本发觉属于电子新闻成效原料与器件时间周围,完全涉及的是一种具有低介电常 数、高成瓷密度、高抗弯强度、高体电阻性情陶瓷基板原料。可用于创制当代电子、通讯时间 中的电道基板、陶瓷介质基片、介质滤波器、以及介质天线等元器件。
[0002] 因为消费电子墟市需求强劲,且无间提出更高的时间恳求,如新闻通报高速化、完 整性及产物众成效化和微型化等。守旧的电子产物使用中,使用频率大大都聚积正在IGHz以 下,PCB和终端厂商计划者易疏忽基板原料较高介电常数带来的负面影响。跟着电子产物 新闻处置的高速化和众成效化,使用频率无间降低,2GHz及3-6GHz将成为主流,基板原料 不再是饰演守旧道理下的刻板支柱脚色,而将与电子组件沿道成为PCB和终端厂商计划者 擢升产物职能的一个首要途径。
[0003] 正在集成电道(IC)和外面贴装时间(SMT)的络续进展中,对基板原料职能方面的要 求也越来越高。守旧的氧化铝已逐步不行知足恳求,希奇是,伴跟着IC芯片的高速化,布线 图形对传输信号的延迟题目越来越告急,这种信号延迟与布线图形方圆原料的介电常数密 切合联。基板原料介电常数较高,纵使通过改革线道计划也无法全体知足高频下的信号高 速通报且信号完全的使用需求,由于高介电常数会使信号通报速度变慢,低介电常数能减 小基板与电极之间的交互耦合损耗并降低电信号的传输速度,于是下降介电常数已成为基 板业者的追赶热门。是以有须要拓荒庖代氧化铝的低介电常数(低介电常数正在10以下) 的原料。
[0004] 陶瓷原料是刚度好、硬度高的原料,陶瓷的抗压强度较高,但抗拉强度较低,塑性 和韧性很差。为了使陶瓷原料正在更大边界到达适用化,只要改革陶瓷的损害韧性才干达成 原料的高强度,降低其加工职能。
[0005] 低介电常数、高致密、高强度陶瓷原料关于电子时间、微电子时间和光电子时间发 展起到了首要用意。陶瓷装备零件平常使用于电子时间中,陶瓷基片和陶瓷包封是微电子 时间中半导体集成电道、微波集成电道、混杂集成电道的首要封装式子。同时正在劳动频率逐 渐降低的状况下,介电损耗无间增大,器件发烧量疾速增添,原料的热导率成为一个必要重 点琢磨的要素。陶瓷原料同由树脂原料组成的PCB比拟,耐热性要好得众,况且具有热导率 高、热膨胀系数小、微细化布线较容易、尺寸宁静性上等所长。同时陶瓷原料具有精良的电 气职能,高的刻板强度,处境与经时宁静性好。
[0006] 常睹的镁质瓷众以矿物原料为原料,杂相因素较众,且MgSiO3会形成相变,MgSiO 3 有四种同素异构体,Proto-enstatile (顽辉石)是高温样子,具有优良的刻板强度和低 的热膨胀系数,常用正在电道基板上;Ortho-enstatile (正交辉石)、Clino-enstatile (单 斜辉石)和Monoclinic amphibole(单斜角闪石)是MgSiO3的低温样子;正交态辉石 (Ct-MgSiO3)和单斜态辉石(P-MgSiO 3)是交互改变的,比拟于Mg2SiO4陶瓷,MgSiO3陶瓷具 有更低的介电常数,但烧结职能差,难于致密化。本发觉供给一种低介电、低软化点玻璃,对 MgSiO3陶瓷实行掺杂改性,督促玻璃陶瓷复合原料致密化。通过掺杂即可能禁止陶瓷原料 相变,转折硅酸镁的烧结职能、下降烧结温度,又可能下降陶瓷的介电常数,改革原料力学 职能等。
[0007] 本发觉的宗旨是供给一种低介电常数、高致密、高强度以及可达成宁静批量坐褥 的陶瓷原料及其制备手段。
[0010] 所述陶瓷原料由MgSiO3、硼硅酸盐玻璃、A120 3、ZnO、La2O3按各自所述质地百分比 配料,并经球磨混杂、干压成型、烧结制成;其制制品中MgSiO 3S原料的主晶相,硼硅酸盐玻 璃、A1203、ZnO、La2O 3等为掺杂相;其成瓷密度P 2. 7g/cm3,相对介电常数ε /7. 0,抗弯强 度 σ 150MPa。
[0015] (4)将球磨好的粉料烘干,到场必定量的PVA实行制粒,尔后采用手动干压成型得 到生胚;
[0016] (5)将步伐⑷所得生坯实行排胶处置高温烧结2~5小时,获得最终的陶瓷材 料。
[0017] 本发觉所供给的陶瓷原料各组分原原料的首要用意分辨如下:原原料MgO、 1%(0!1) 2或1%0)3和3102或石英首要用来合成1%3103主晶相;硼硅酸盐玻璃不只具有低软化 温度和低的介电常数,况且可与MgSiO 3陶瓷原料优良成婚,填充MgSiO3陶瓷体,通过硼硅酸 盐玻璃掺杂,可使MgSiO 3陶瓷正在1350°C以下达成致密化烧结;硼硅酸盐玻璃与Al 203、ZnO、 La2O3对MgSiO 3实行掺杂,可达成下降硅酸镁陶瓷烧成温度、降低陶瓷致密性、抗弯强度等。
[0019] (1)该编制原料能正在1200~1350°C致密烧结,烧结体的微观机合由大方的MgSiO3 晶粒、较众玻璃相和少量气孔构成,是一种类型的玻璃陶瓷复合原料,如图1所示。
[0020] (2)本发觉所制备的硅酸二镁陶瓷原料为较纯的MgSiOjg,如图2所示。
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